vexillo_paginae

producta

ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Tabula Invertoris Modulus IGCT

brevis descriptio:

Numerus item: ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162

marca: ABB

pretium: $15000

Tempus traditionis: In promptu

Solutio: T/T

portus navicularius: Xiamen


Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Descriptio

Fabricatio ABB
Modellum 5SHY4045L0001
Informationes de ordinatione 3BHB018162
Catalogus Partes Substitutae VFD
Descriptio ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Tabula Invertoris Modulus IGCT
Origo Civitates Foederatae Americae (US)
Codex HS 85389091
Dimensio 16cm * 16cm * 12cm
Pondus 0.8kg

Detalia

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 est thyristor portae commutatus integratus (IGCT) productum ABB, ad seriem 5SHY pertinens.

IGCT est novum genus instrumenti electronici quod exeunte decennio nono saeculi vicesimi apparuit.

Commoda IGBT (transistoris bipolaris portae insulatae) et GTO (thyristoris claudendi portam) coniungit, et proprietates celeritatis commutationis, magnae capacitatis, et magnae potentiae impulsivae requisitae habet.

Speciatim, capacitas 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 aequivalet capacitati GTO, sed celeritas commutationis eius decies velocior est quam GTO, quod significat actionem commutationis tempore breviori perficere posse atque ita efficientiam conversionis potentiae augere.

Praeterea, comparatus cum GTO, IGCT magnum et complicatum circuitum snubber servare potest, quod adiuvat ad designium systematis simplificandum et sumptus reducendos.

Attamen notandum est, quamquam IGCT multa commoda habeat, vim impulsivam requisitam adhuc magnam esse.

Hoc fortasse augebit consumptionem energiae et complexitatem systematis. Praeterea, quamquam IGCT conatur substituere GTO in applicationibus magnae potentiae, adhuc acerrimam competitionem ab aliis novis machinis (velut IGBT) subicitur.

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistores portae integratae commutatae | GCT (Transistores Portae Integratae Commutatae) sunt nova machina semiconductoria potentiae, in apparatu electronico potentiae ingentibus adhibita, quae anno 1996 prodiit.

IGCT est novum instrumentum commutationis semiconductoris altae potentiae, in structura GTO fundatum, structuram portae integratam pro disco duro portae utens, structuram strati medii tamponis et technologiam emittoris perspicui anodi utens, cum proprietatibus status acti thyristoris et proprietatibus commutationis transistoris.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 structuram tamponis et technologiam emittoris superficialis utitur, quae iacturam dynamicam circiter 50% minuit.

Praeterea, hoc genus instrumentorum etiam diodum liberam cum bonis proprietatibus dynamicis in microplacula integrat, deinde combinationem organicam humilis casus tensionis in statu acti, altae tensionis obstructionis et stabilis proprietatum commutationis thyristoris modo singulari efficit.

5SHY4045L0001


  • Praecedens:
  • Deinde:

  • Mitte nobis nuntium tuum: