ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverter Board IGCT Module
Descriptio
| OPIFICIUM | ABB |
| Model | 5SHY4045L0001 |
| Mandare informationes | 3BHB018162 |
| Catalogue | VFD Spares |
| Descriptio | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverter Board IGCT Module |
| Origin | United States (US) |
| HS Code* | 85389091 |
| Dimension | 16cm*16cm*12cm |
| Pondus | 0.8kg |
Singula
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 est porta integrata commutata thyristoris (IGCT) producti ABB, ad seriem 5SHY pertinens.
IGCT est novum genus machinae electronicae quae in proximis 1990s apparuit.
Commoda IGBT (transistoris bipolaris portae insulatae) et GTO (porta thyristoris vice-off) componit, et notas velocitatis mutandi, magnae capacitatis et magnae virtutis activitatis requisitae habet.
In specie, capacitas 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 aequiparatur cum GTO, sed celeritas mutandi eius velocior est vicensima quam GTO, quod significat actionem mutandi breviori tempore perficere et sic potentiae conversionis efficientiam emendare.
Praeter, comparata cum GTO, IGCT ingentem et complicatam ambitum simi- lium servare potest, qui adiuvat ad simpliciorem rationem systematicam et impensas reducendas.
Sed notandum est quod, licet IGCT multae utilitates habeat, tamen magna vis incessus requiritur.
Haec vis consummationis et multiplicitatis systematis augere potest. Praeterea, licet IGCT GTO in applicationibus altae potentiae reponere nititur, adhuc acriter certatum est ab aliis novis machinis (ut IGBT)
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integratae portae commutatae transistores|GCT (Gate commutati transistores Intergratae) nova vis machinae semiconductoris adhibitae in immani potentia instrumenti electronici exeunte anno 1996.
IGCT nova summus potentiae semiconductoris fabricae in GTO structurae fundata, portae structurae integratae pro porta ferrei coegi utens structurae mediae iacuit et anode technologiae perspicuae emittentis, cum notis in-statum thyristoris et mutandi notas transistoris.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 utitur structura quiddam et technologia emittere tenui, quae dynamicam iacturam minuit circiter 50%.
Praeterea, hoc genus armorum etiam integrationem diode liberatam cum bonis dynamicis notis in spumam facit, et tunc cognoscit organicam compositionem humilium voltationis in statu guttae, altae intentionis interclusionis ac stabilis mutandi notas thyristoris singulari modo.
