ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Tabula Invertoris Modulus IGCT
Descriptio
Fabricatio | ABB |
Modellum | 5SHY4045L0001 |
Informationes de ordinatione | 3BHB018162 |
Catalogus | Partes Substitutae VFD |
Descriptio | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Tabula Invertoris Modulus IGCT |
Origo | Civitates Foederatae Americae (US) |
Codex HS | 85389091 |
Dimensio | 16cm * 16cm * 12cm |
Pondus | 0.8kg |
Detalia
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 est thyristor portae commutatus integratus (IGCT) productum ABB, ad seriem 5SHY pertinens.
IGCT est novum genus instrumenti electronici quod exeunte decennio nono saeculi vicesimi apparuit.
Commoda IGBT (transistoris bipolaris portae insulatae) et GTO (thyristoris claudendi portam) coniungit, et proprietates celeritatis commutationis, magnae capacitatis, et magnae potentiae impulsivae requisitae habet.
Speciatim, capacitas 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 aequivalet capacitati GTO, sed celeritas commutationis eius decies velocior est quam GTO, quod significat actionem commutationis tempore breviori perficere posse atque ita efficientiam conversionis potentiae augere.
Praeterea, comparatus cum GTO, IGCT magnum et complicatum circuitum snubber servare potest, quod adiuvat ad designium systematis simplificandum et sumptus reducendos.
Attamen notandum est, quamquam IGCT multa commoda habeat, vim impulsivam requisitam adhuc magnam esse.
Hoc fortasse augebit consumptionem energiae et complexitatem systematis. Praeterea, quamquam IGCT conatur substituere GTO in applicationibus magnae potentiae, adhuc acerrimam competitionem ab aliis novis machinis (velut IGBT) subicitur.
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistores portae integratae commutatae | GCT (Transistores Portae Integratae Commutatae) sunt nova machina semiconductoria potentiae, in apparatu electronico potentiae ingentibus adhibita, quae anno 1996 prodiit.
IGCT est novum instrumentum commutationis semiconductoris altae potentiae, in structura GTO fundatum, structuram portae integratam pro disco duro portae utens, structuram strati medii tamponis et technologiam emittoris perspicui anodi utens, cum proprietatibus status acti thyristoris et proprietatibus commutationis transistoris.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 structuram tamponis et technologiam emittoris superficialis utitur, quae iacturam dynamicam circiter 50% minuit.
Praeterea, hoc genus instrumentorum etiam diodum liberam cum bonis proprietatibus dynamicis in microplacula integrat, deinde combinationem organicam humilis casus tensionis in statu acti, altae tensionis obstructionis et stabilis proprietatum commutationis thyristoris modo singulari efficit.